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本文摘自：人民网，作者：肖锋 郭鲲，转引自：《京华时报》2005年7月8日第A07版，原题：《著名物理学家黄昆逝世：享年86岁曾获国家最高科学技术奖》
本报讯（记者肖锋郭鲲）著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一、2001年度国家最高科学技术奖获得者、中国科学院院士黄昆因病医治无效，于7月6日16时17分在北京逝世，享年86岁。
据中科院半导体所负责外宣的刘力介绍，中科院、半导体所以及北大物理学院已联合成立了治丧委员会，并分别在中科院半导体研究所学术会议中心和北京大学物理学院设立灵堂。各界人士可于7月8日至11日到两个灵堂吊唁。
获奖后不搞庆祝活动（往事追忆）
据半导体所陈树棠书记介绍，2002年，黄昆荣获2001年度国家最高科技奖。根据惯例，获奖院士的单位都要举办庆祝活动，党办当时也精心准备了庆祝活动。哪知计划送到黄昆那里，他坚决不同意，而且一点儿也不肯让步。结果原定的庆祝活动被取消了。
本报记者郭鲲
成就简介
20世纪40年代，黄昆提出的固体中杂质缺陷导到X光散射的理论，被称为“黄散射”。1950年，他同夫人艾夫·里斯（李爱扶）合作，首次提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论。该理论与苏联佩卡尔发表的有关辐射的理论，被国际学术界称为“黄─佩卡尔理论”或“黄─里斯理论”。
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